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硅基光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

硅基 7bit 可調(diào)光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)

硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時芯片梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)

硅基6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

硅基單片集成 6 比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。

SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列該產(chǎn)品基于硅基熱調(diào)諧微環(huán)結(jié)構(gòu)，光濾波器的中心波長和隔離度可調(diào)，實現(xiàn)了多通道光濾波器的單片集成，通過特殊設(shè)計實現(xiàn)了偏振無關(guān)特性，光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動。

高速光開關(guān)SOI芯片，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

SOI芯片式高速光衰減器基于硅基載流子色散效應(yīng)實現(xiàn)高速響應(yīng)的可調(diào)光路衰減，實現(xiàn)多通道VOA器件單片化集成，芯片與多通道光纖陣列和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝，數(shù)字化驅(qū)動，偏振相關(guān)性小，衰減范圍大，調(diào)節(jié)精度高，衰減值穩(wěn)定，響應(yīng)時間為納秒級，可在高速、低時延系統(tǒng)中應(yīng)用。